摘要
金刚石和碳化硅(SiC)作为两种宽禁带半导体材料，各自具有优异的物理化学性质，例如高硬度、高热导率、高击穿电场等，在电子、光电子和微电子器件等领域具有广阔的应用前景。
金刚石/SiC复合材料结合了两种材料的优势，近年来备受关注。
然而，金刚石和SiC之间的界面特性对复合材料的性能至关重要。
本文综述了金刚石/SiC界面研究的最新进展，包括界面结构、界面结合强度、界面热导率和界面电学性质。
重点讨论了磁控溅射技术在制备金刚石/SiC薄膜及其界面调控方面的应用。
最后，对金刚石/SiC界面研究的未来方向进行了展望。
关键词：金刚石；碳化硅；界面；磁控溅射；复合材料
随着电子器件小型化、集成化和高性能化的发展趋势，对半导体材料的性能要求越来越高。
金刚石和碳化硅(SiC)作为两种宽禁带半导体材料，因其优异的物理化学性质，例如高硬度、高热导率、高击穿电场、高载流子迁移率和化学惰性等，在高温、高频、高功率电子器件和光电器件等领域具有巨大的应用潜力[1-3]。
金刚石/SiC复合材料结合了两种材料的优势，例如金刚石的高热导率和SiC的高电子迁移率，有望克服单一材料的局限性，实现性能的进一步提升。
剩余内容已隐藏，您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容！立即支付
以上是毕业论文文献综述，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
