文献综述（或调研报告）
1.GaN器件
GaN基材料由于其本身具有的一些优势，正向着高功率和高频电子器件方向发展。这些优势有：电击穿强度高；漏电流小；电子漂移饱和速度高；化学稳定性以及抗辐射强度高。GaN的电子饱和漂移速率高达 2. 5times; 10cm/s，介电常数不大，适合微波器件的制作。GaN的击穿场强度为 2.0times;109V/cm，比GaAs(4times;10V/cm) 和 Si(3times; 10V/cm)大的多。其热导率远大于GaAs而略大于Si。有利于器件在高温和高频大功率下工作。GaN基的电子器件的应用领域也极为广泛，有望在航天航空，高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子等方面发挥重要的作用。
目前已经成功的制备出了GaN基的MESFET、HBT、MODFET(HEMT)和MISFET等器件。Binari等人利用LP-MOCVD 在高阻的GaN层上生长沟通道厚度为250nm的掺Si的GaNMESFET。其有源沟道的电子迁移率和电子浓度分别为４００cm(V﹒s) 和2.7times;100cm。该GaN MESFET的源漏间距为5mu;ｍ，栅宽为150mu;ｍ，栅长为1.4mu;ｍ。其最大跨导为20ｍs/mm，这种器件的 f 和 f 分别为 8 和 17GHz，400℃时仍具有良好的夹断特性。就频率特性而言其初步结果已经与SiC MESFET 可以相比。如果进一步减少栅长、改进沟道掺杂和欧姆接触工艺，GaN MESFET 的 f 可以达到20～40GHz. Khan 等人报道了短沟道AlGaN/GaNHEMT的室温和高温特性，栅长为 3mu; m，栅宽为100mu;ｍ的器件在25℃时的f和f分别为22GHz和70GHz，在300℃时的f和f分别为5GHz和4GHz。Pankove等人以GaN为发射极，以SiC为基极和集电极制作的GaN/SiC HBT在室温时的电流增益高达10，260℃下工作的电流增益可以超过1600，535℃下工作的电流增益仍高达100(商品化的Si晶体管在室温时的典型电流增益值)，已经基本上达到了商品化的要求。Razeghi等人装配的器件使用了MIS结构，AIN 绝缘层是在硅上用 MOCVD 外延生成。他们第一次实验演示了 MIS 结构器件的良好高频和低频特性。在器件性能方面， AIN/Si 界面扮演了一个关键的角色，通过C-V 和 G-V 测量中得到穿过整个硅带隙的界面陷阱能级密度分布在 10cmeV 的范围，这是可以和 SiO2/Si 系统相媲美的，从而他们就证明了一种电子级的 AIN/Si 界面的可行性。
2.功率放大器主要技术指标：
①工作频带：指放大器应满足全部性能指标的连续频率范围。
②饱和输出功率：当功率放大器的输入功率加大到某一值后，再加大输入功率并不会改变输出功率的大小，该输出功率称为功率放大器的饱和输出功率。
③1dB压缩点输出功率：功率放大器增益压缩1dB所对应的输出功率称为1dB压缩点输出功率。如下图所示。
④效率：功放能对输入信号进行放大，就是将DC电源的能量转化为输出信号的能量并传递给负载，但并不是所有DC电源的能量都会转化为输出信号的能量，会有相当一部分作为热能或者以其他形式耗散掉了，效率可以用来衡量其将DC电能转化为功放输出功率的能力，通常用漏极工作效率，功率附加效率（PAE）等来定义功放的效率，漏极工作效率：
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