量子点具有激发光谱宽且连续分布、发射光谱对称且宽度窄、波长可调、光化学性质稳定、不易光漂白等优良的光学特性，近年来引起了各个研究领域的广泛关注。
作为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的重要一员,磷化铟(InP)是一种直接带隙半导体,在室温下它的带宽为1.35eV,并具有较大的激子波尔半径(alpha;B=14nm),因而显示出更强的量子限域效应。
作为新一代重要的电子功能材料,InP纳米材料具有诸多优越性质,如高热导率、高抗辐射阻抗、高饱和电场电子漂移速度、高载流子迁移率,以及对大于其禁带宽度的光子的吸收系数很大等,在生物传感器、抗辐射太阳能电池、平板液晶显示、光纤通信、激光器芯片和通讯卫星等许多高技术领域均有着广泛应用。
所以,如何制备InP纳米材料便成为半导体材料领域的聚焦热点。
InP量子点具有其他量子点的许多优点，如卓越的光谱特性、抗光源漂白等。
Ymamzaki将InP量子点注射到小黄鼠身上，证明了共价性InP量子点远比离子型II-VI族量子点的毒性小。
据此，InP量子点成为生物影像和标记的首选。
量子点最初采用有机相法合成，但反应条件苛刻，毒性大，无法直接应用于生物体系，而且后处理过程往往会导致发光效率和稳定性大大降低。
水相合成法具有操作简单、重现性好和成本低等优点，合成的量子点可直接应用于生物体系，是当前研究的热点。
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