摘要
气体传感器在环境监测、工业生产、医疗诊断等领域发挥着至关重要的作用。
金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor,MOS)气敏材料因其高灵敏度、快速响应、低成本等优点，成为气体传感器领域的研究热点。
其中，三氧化钼(MoO3)作为一种典型的n型半导体材料，具有较宽的禁带宽度、良好的化学稳定性和优异的气敏性能，在气敏传感领域展现出巨大的应用潜力。
然而，纯MoO3气敏材料也存在一些不足，例如工作温度较高、选择性较差等，限制了其进一步的应用。
为了提高MoO3的气敏性能，研究者们尝试了多种改性方法，例如形貌控制、贵金属掺杂、半导体复合等。
其中，金属离子掺杂被认为是一种有效且可控的改性手段。
通过将适量的金属离子引入MoO3晶格中，可以改变其电子结构和表面性质，从而优化其气敏性能。
钛(Ti)作为一种常见的过渡金属元素，具有丰富的价态和良好的化学稳定性。
将Ti掺杂到MoO3中，可以形成Ti4 和Mo6 之间的替代掺杂，增加MoO3的氧空位浓度，提高其载流子浓度，进而提高其电导率和气敏性能。
本文综述了近年来Ti掺杂MoO3纳米材料的制备及其气敏性能的研究进展。
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