摘要
硫化锌(ZnS)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有宽带隙、高激子结合能等优异特性，在光电、传感、催化等领域展现出巨大的应用潜力。
本综述回顾了ZnS薄膜的制备方法，包括磁控溅射、化学浴沉积、溶胶-凝胶法、原子层沉积等，并阐述了各种方法的优缺点及适用范围。
此外，还重点概述了ZnS薄膜的结构特性、光学特性、电学特性等关键性能及其影响因素。
最后，对ZnS薄膜未来的研究方向进行了展望，以期为相关领域的研究人员提供参考。
关键词：硫化锌薄膜；制备方法；结构特性；光学特性；电学特性
硫化锌(ZnS)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有宽禁带宽度(室温下为3.7eV)、高激子结合能(39meV)、优异的透光性和化学稳定性等特点[1]。
ZnS薄膜作为ZnS材料的重要应用形式，在光电器件、传感器、催化剂等领域具有广泛的应用前景[2]。
例如，ZnS薄膜可以作为太阳能电池的缓冲层、发光二极管的活性层、气体传感器的敏感材料等。
近年来，随着纳米技术的快速发展，ZnS薄膜的制备和性能研究取得了显著进展，各种新型的制备方法和改性技术不断涌现，为ZnS薄膜的性能提升和应用拓展提供了新的思路。
本综述旨在对ZnS薄膜的制备方法和性能研究进行系统概述，重点介绍近年来国内外在该领域的研究进展，并对ZnS薄膜未来的发展方向进行展望，以期为相关领域的研究人员提供参考。
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