BiFeO3（BFO）作为一种多功能材料，集铁电性、反铁磁性和光催化活性于一身，在信息存储、传感器、光电器件等领域展现出巨大的应用潜力。
然而，BFO薄膜普遍存在较大的漏电流，严重制约了其性能的发挥和实际应用。
本综述首先介绍了BFO材料的基本性质和应用，然后重点概述了BFO薄膜的制备方法，包括溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法等，并比较了不同方法的优缺点。
随后，深入探讨了BFO薄膜漏电机制的研究现状，分析了氧空位、缺陷复合体、界面效应等因素对漏电流的影响。
最后，展望了降低BFO薄膜漏电流的未来发展方向，包括优化薄膜制备工艺、掺杂改性、界面工程等策略。
关键词：BiFeO3薄膜；漏电机制；制备方法；氧空位；界面效应
随着信息技术的迅猛发展，对电子元器件的性能要求日益提高，迫切需要开发新型功能材料以突破传统技术的瓶颈。
多铁性材料由于同时具备铁电性和铁磁性，两种序参量之间存在强烈的耦合作用，可以实现电场控制磁性或磁场控制电性，因此在多态存储器、传感器、自旋电子器件等领域具有广泛的应用前景[1-2]。
在众多多铁性材料中，BiFeO3（BFO）作为一种典型的单相多铁材料，在室温下同时表现出铁电性（居里温度Tc≈1103K）和反铁磁性（奈尔温度TN≈643K），并且具有较高的铁电极化强度和较窄的光学带隙（Eg≈2.7eV），近年来引起了研究人员的广泛关注[3]。
BFO薄膜的潜在应用领域包括：
-信息存储：BFO薄膜的铁电性使其可以用作铁电随机存取存储器（FeRAM）的存储介质，相比于传统的动态随机存取存储器（DRAM）和闪存，FeRAM具有非易失性、读写速度快、功耗低、抗辐射能力强等优点。
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