摘要
氧化锌(ZnO)纳米阵列作为一种重要纳米材料，凭借其独特的结构和优异的光学、电学、压电等性能，在光电子器件、传感器、催化等领域展现出巨大的应用潜力。
本综述首先介绍了ZnO纳米材料的基本概念、晶体结构、性质和制备方法，并重点阐述了ZnO纳米阵列的设计生长策略，包括化学气相沉积法、水热法、模板法等。
其次，综述了ZnO纳米阵列的光学特性研究进展，包括紫外-可见吸收光谱、荧光光谱以及光致发光机理，并探讨了形貌、尺寸、掺杂等因素对ZnO纳米阵列光学特性的影响。
最后，展望了ZnO纳米阵列在未来光电器件、传感器等领域的发展趋势和应用前景。
关键词：ZnO纳米阵列；设计生长；光学特性；光电器件；传感器
纳米材料由于其独特的物理化学性质，如量子尺寸效应、表面效应等，在过去几十年中受到了广泛关注[1]。
在众多纳米材料中，氧化锌(ZnO)作为一种II-VI族直接带隙半导体材料，由于其独特的优异性能，包括宽带隙（~3.37eV）、高激子结合能（~60meV）、良好的化学稳定性和生物相容性等，引起了人们极大的研究兴趣[2]。
ZnO纳米材料可以制备成各种形貌，例如纳米线、纳米棒、纳米带、纳米花和纳米片等[3]。
其中，ZnO纳米阵列由于其有序的结构和取向性，在光学、电学、压电等方面表现出优异的性能，近年来成为研究热点。
ZnO纳米阵列的应用领域非常广泛，包括光电器件、传感器、催化、能量存储和生物医学等[4]。
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